講演情報
[24p-21B-10]マイクロ集積熱電デバイスの熱電レグ部に印可される温度差の特定
〇荒山 瀧一朗1、三浦 拓也1、空閑 敬大1、新井 崇平1、松木 武雄1、渡邉 孝信1 (1.早大理工)
キーワード：
ゼーベック係数,Siナノワイヤ
我々はSiナノワイヤ(Si-NW)を熱電材料として用いた微小熱電デバイスの開発に取り組んでいる。熱電発電材料には、高い無次元性能指数ZT=S2σ/κTが要求される。今回、当研究グループがSi-CMOSプロセスで作製した集積熱電デバイスにおいて、熱電発電が起こるSi-NW部（レグ部）の熱電性能を明らかにするため、同じプロセスで作製した熱電性能評価用のSi-NWデバイスを用いて、電気伝導率とゼーベック係数の精密測定を行った。