[24p-22B-1~14] 12.4 Organic light-emitting devices and organic transistors

1:30 PM - 1:45 PM JST(4:30 AM - 4:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[24p-22B-3] Effects of Gate-Dielectric Surface Energy on Contact Resistance in Bottom-Gate-Bottom-Contact-Type Organic TFTs

〇(D)Keito Murata¹, Shinji Tsuchida¹, Satoru Inoue¹, Toshiki Higashino², Tatsuo Hasegawa¹ (1.U. Tokyo, 2.AIST)

Keywords:

organic transistor,carrier injection,surface energy

BGBC型素子構造の有機薄膜トランジスタ（TFT）は実用面で有利だが、電極から半導体へのキャリア注入効率が低くなりやすい。BGBC型TFTのキャリア注入は、構造上、絶縁層表面のごく近傍で生じるという特徴がある。そこで今回、様々な絶縁層材料を用いてBGBC型TFTを作製し、キャリア注入への影響を調べた。結果、表面エネルギーが小さい絶縁層ではキャリア注入効率が高い傾向が見られ、デバイス性能が向上することがわかった。