[24p-22B-1~14] 12.4 有機EL・トランジスタ

13:30 〜 13:45奨励賞エントリー

[24p-22B-3] ボトムゲート・ボトムコンタクト型有機TFTにおけるゲート絶縁層の表面エネルギーと接触抵抗

〇(D)村田 啓人¹、土田 真嗣¹、井上 悟¹、東野 寿樹²、長谷川 達生¹ (1.東大院工、2.産総研)

キーワード：

有機トランジスタ,キャリア注入,表面エネルギー

BGBC型素子構造の有機薄膜トランジスタ（TFT）は実用面で有利だが、電極から半導体へのキャリア注入効率が低くなりやすい。BGBC型TFTのキャリア注入は、構造上、絶縁層表面のごく近傍で生じるという特徴がある。そこで今回、様々な絶縁層材料を用いてBGBC型TFTを作製し、キャリア注入への影響を調べた。結果、表面エネルギーが小さい絶縁層ではキャリア注入効率が高い傾向が見られ、デバイス性能が向上することがわかった。