[24p-52A-1~19] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

4:15 PM - 4:30 PM JST(7:15 AM - 7:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[24p-52A-13] Investigation of saturation current increasing structure of source connected polarization superjunction transistor

〇(M2)Eito Kokubo¹, Hirotaka Watanabe², Manato Deki³, Atsushi Tanaka², Shugo Nitta², Yoshio Honda^2,3,4, Hiroshi Amano^2,3,4 (1.Dept. of Electronics, Nagoya Univ., 2.IMaSS, Nagoya Univ., 3.D Center, Nagoya Univ., 4.IAR, Nagoya Univ.)

Keywords:

GaN,PSJ transistor,Freewheeling diode

前回我々は，分極超接合(PSJ)トランジスタにフリーホイールダイオードを内蔵させたソース接続PSJ(sPSJ)トランジスタについて報告した．本研究では，sPSJトランジスタの飽和電流の減少に対して，PSJ構造を分割する構造について検討した．その結果，PSJ領域を減らすことで大幅に飽和電流を増加させることができた．また，PSJ領域の割合を77%にした場合の耐圧は，全面に設けた場合の8割程度であった．