[24p-61C-1~7] Progress in deep ultraviolet light devices

2:05 PM - 2:35 PM JST(5:05 AM - 5:35 AM UTC)

[24p-61C-4] Fabrication of Annealed Sputter-Deposited AlN Templates and Development of DUV LEDs

〇Ryota Akaike¹, Kenjiro Uesugi^1,2, Takao Nakamura^3,4, Shuhei Ichikawa⁵, Kazunobu Kojima⁵, Masahiko Tsuchiya⁶ (1.ORIP, Mie Univ., 2.Grad. Sch. of RIS, Mie Univ., 3.MRPCO, Mie Univ., 4.Grad. Sch. of Eng., Mie Univ., 5.Grad. Sch. of Eng., Osaka Univ., 6.Stanley Electric Co.)

Keywords:

AlGaN,DUV LED,sputtering and annealing method

AlGaN系深紫外LEDは深紫外ランプを置き換える光源として注目されており、特に細菌・ウィルスの不活性化有効な波長~265 nm（あるいは 波長~280 nm）や、人体への悪影響がないことが期待できる波長230 nm以下の深紫外LEDの高効率化が精力的に進められてきた。その要素の1つである内部量子効率の向上のために、転位密度の低減は極めて重要である。我々はRFスパッタ成膜とface-to-face配置での高温アニールにより、安価なc面サファイア基板上で低転位密度のAlN（FFA Sp-AlN）の作製に成功した。本講演では、FFA Sp-AlN上の深紫外LEDの進展について発表する。