講演情報
[24p-61C-4]スパッタ・アニール法AlNテンプレート作製と深紫外LEDの開発
〇赤池 良太1、上杉 謙次郎1,2、中村 孝夫3,4、市川 修平5、小島 一信5、土谷 正彦6 (1.三重大研基機構、2.三重大地域イノベ、3.三重大未来図、4.三重大院工、5.阪大院工、6.スタンレー電気)
キーワード：
AlGaN,深紫外LED,スパッタ・アニール法
AlGaN系深紫外LEDは深紫外ランプを置き換える光源として注目されており、特に細菌・ウィルスの不活性化有効な波長~265 nm（あるいは 波長~280 nm）や、人体への悪影響がないことが期待できる波長230 nm以下の深紫外LEDの高効率化が精力的に進められてきた。その要素の1つである内部量子効率の向上のために、転位密度の低減は極めて重要である。我々はRFスパッタ成膜とface-to-face配置での高温アニールにより、安価なc面サファイア基板上で低転位密度のAlN（FFA Sp-AlN）の作製に成功した。本講演では、FFA Sp-AlN上の深紫外LEDの進展について発表する。