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[24p-P06-13]Characterization of Cu2ZnSnS4 bulk crystals grown by SPS method VII
〇Akiko Takeuchi1, Hazuki Yoshii1, Naritoshi Aoyagi1, Yosuke Shimamune1, Koichiro Oishi1, Shunji Ozaki2 (1.NIT (KOSEN), Nagaoka College, 2.Gunma Univ.)
Keywords:
kesterite,hall effect
本発表では，Cu2ZnSnS4（kesterite）バルク多結晶の欠陥準位とキャリア密度及びホール移動度を，化学量論比（stoichio.）とZn-poor，Sn-rich組成で比較した結果を報告する。キャリア密度の温度依存性から、約70 meVの欠陥準位を推定した。ホール移動度は，Zn-poor，Sn-rich組成の方が低くなった。PLスペクトルの温度依存性から求めた活性化エネルギーは70 meVより小さかった。Zn-poor，Sn-rich組成のスペクトルは観察できていないが，ドナーの抑制と矛盾していない。