Presentation Information
[24p-P06-2]Reduction of series resistance by improving front contact grid for InGaAs thermophotovoltaic cells
〇(M1)Masaki Date1, Ryuji Osima2, Yasushi Shoji2, Takeyoshi Sugaya2, Shuhei Yagi1, Hiroyuki Yaguchi1 (1.Saitama Univ., 2.AIST)
Keywords:
Molecular beam epitaxy,Solar cells,Thermophotovoltaics
熱光起電力(TPV)は熱輻射を入力として太陽電池セルで発電する技術である。1500°C以上の黒体輻射を用いる場合は1 A/cm2以上の高電流密度が発生するため、高効率化には直列抵抗損失の低減が重要となる。本研究では、TPVに適したInGaAs太陽電池セルの高電流密度での動作を実現するため、直列抵抗を抑えた格子状の表面電極を形成し、高倍集光下での電流-電圧特性を評価した。その結果、短絡電流密度1.5 A/cm2まで特性が低下しない電極構造を実現した。