講演情報
[24p-P06-2]InGaAs熱光起電力セルへ向けた表面電極改善による直列抵抗低減
〇(M1)伊達 仁基1、大島 隆治2、庄司 靖2、菅谷 武芳2、八木 修平1、矢口 裕之1 (1.埼玉大院理工、2.産総研)
キーワード：
分子線エピタキシー法,太陽電池,熱光起電力
熱光起電力(TPV)は熱輻射を入力として太陽電池セルで発電する技術である。1500°C以上の黒体輻射を用いる場合は1 A/cm2以上の高電流密度が発生するため、高効率化には直列抵抗損失の低減が重要となる。本研究では、TPVに適したInGaAs太陽電池セルの高電流密度での動作を実現するため、直列抵抗を抑えた格子状の表面電極を形成し、高倍集光下での電流-電圧特性を評価した。その結果、短絡電流密度1.5 A/cm2まで特性が低下しない電極構造を実現した。