Presentation Information
[24p-P06-3]Anisotropic etching by ICP-RIE for Ge substrate reuse technology
〇(M1)Wenbo Fan1, Ryuji Oshima2, Yasushi Shoji2, Takeyoshi Sugaya2, Shuhei Yagi1, Hiroyuki Yaguchi1 (1.Saitama Univ., 2.AIST)
Keywords:
Dry etching of germanium substrate,III-V compound semiconductor solar cells,Bosch process
Ⅲ-Ⅴ族太陽電池は高い信頼性と超高効率が達成されているが、高コストが課題である。基板コストの低減策として、Ge基板の再利用技術が期待される。本研究では、Ge基板再利用プロセスの構築に向けて、報告例の少ないGeの異方性エッチング技術を検討した。ICP-RIE装置を用いてボッシュプロセスによるエッチングを行った結果、CHF3と比べてC4F8/Ar混合ガスを保護ガスとして使用することで高アスペクト比の異方性エッチングができることを示した。