[24p-P06-1~16] 13.9 化合物太陽電池

[24p-P06-3] 基板再利用技術に向けたICP-RIEを用いたGeの異方性エッチング

〇(M1)范 文博¹、大島 隆治²、庄司 靖²、菅谷 武芳²、八木 修平¹、矢口 裕之¹ (1.埼玉大院理工、2.産総研)

キーワード：

Geのドライエッチング,Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体太陽電池,ボッシュプロセス

Ⅲ-Ⅴ族太陽電池は高い信頼性と超高効率が達成されているが、高コストが課題である。基板コストの低減策として、Ge基板の再利用技術が期待される。本研究では、Ge基板再利用プロセスの構築に向けて、報告例の少ないGeの異方性エッチング技術を検討した。ICP-RIE装置を用いてボッシュプロセスによるエッチングを行った結果、CHF₃と比べてC₄F₈/Ar混合ガスを保護ガスとして使用することで高アスペクト比の異方性エッチングができることを示した。