[24p-P14-1~3] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

[24p-P14-2] Superior Device Characteristics of Needle-Contact Ge Schottky Barrier Diodes for Low-Power Applications

〇Riku Ando¹, Yoriko Suda¹, Narihiko Maeda¹ (1.Tokyo Univ. of Technology)

Keywords:

schottky barrier diode,Semiconductor,Low-Power Application

本研究では、針接触型Geショットキーバリアダイオード(SBD)がレクテナ等の小電力分野で未だに利用される場合がある点に着目し、同一のショットキー金属で作製された接合型および針接触型Ge SBDのI-V特性の比較をおこなった。また、I-V特性の比較とフィッティング解析をおこなったところ針接触型SBDは接合型SBDよりしきい値電圧が低く小電力応用に有効な結果が得られた。