講演情報
[24p-P14-2]小電力応用に優れた針接触Ge ショットキーバリアダイオードのデバイス特性
〇安藤 陸1、須田 順子1、前田 就彦1 (1.東京工科大工)
キーワード：
ショットキーバリアダイオード,半導体,小電力応用
本研究では、針接触型Geショットキーバリアダイオード(SBD)がレクテナ等の小電力分野で未だに利用される場合がある点に着目し、同一のショットキー金属で作製された接合型および針接触型Ge SBDのI-V特性の比較をおこなった。また、I-V特性の比較とフィッティング解析をおこなったところ針接触型SBDは接合型SBDよりしきい値電圧が低く小電力応用に有効な結果が得られた。