Presentation Information
[24p-P15-10]Photoconductive properties of InAs/InAsSb in-plane ultrahigh-density QD layer
〇Takumi Oyama1, Mitsuya Arao1, Naoya Miyashita1, Koichi Yamaguchi1 (1.Univ. Electro-Comm.)
Keywords:
quantum dot
従来の1×1011 cm-2以下の面内量子ドット(QD) 密度の場合、量子ドット層面内における電気伝導は主にホッピング伝導である。我々は1×1012 cm-2のInAs/InAsSb面内超高密度(UHD) QDの成長技術を開発し、そのUHD QD層を導入したQD中間バンド型太陽電池およびQDレーザへの応用について検討してきた。さらに最近では、このUHD QD層の面内において隣接QD間の電子的強結合によるミニバンド形成について検証してきた。本研究では、このUHD QD層の光伝導特性の温度依存性を調べ、面内伝導機構について検討を加えたので報告する。