[24p-P15-1~10] 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

[24p-P15-10] InAs/InAsSb面内超高密度量子ドット層の光伝導特性

〇大山 琢未¹、荒尾 光哉¹、宮下 直也¹、山口 浩一¹ (1.電通大基盤理工)

キーワード：

量子ドット

従来の1×10¹¹ cm^-2以下の面内量子ドット(QD) 密度の場合、量子ドット層面内における電気伝導は主にホッピング伝導である。我々は1×10¹² cm^-2のInAs/InAsSb面内超高密度(UHD) QDの成長技術を開発し、そのUHD QD層を導入したQD中間バンド型太陽電池およびQDレーザへの応用について検討してきた。さらに最近では、このUHD QD層の面内において隣接QD間の電子的強結合によるミニバンド形成について検証してきた。本研究では、このUHD QD層の光伝導特性の温度依存性を調べ、面内伝導機構について検討を加えたので報告する。