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10:45 AM - 11:00 AM JST(1:45 AM - 2:00 AM UTC)

[25a-12C-7]Electrical Characterization of Si capacitor with TSV electrode

〇Maiko Hatano¹, Akira Sagawa¹, Taketoshi Tanaka¹, Yoshiaki Oku¹, Ken Nakahara¹ (1.ROHM Co., Ltd.)

capacitor

大容量を得るための手段として、微細なトレンチを形成し表面積の拡大がなされているが、トレンチ底の誘電体膜厚が薄くなることが分かっている。リーク電流の増加を防ぐために垂直貫通電極を用いて誘電体の厚膜化可能なSiキャパシタを作製し、特性評価を実施したので報告する。