Presentation Information
[25a-12J-8]Numerical Analysis of Electron Mobility in Nanosheets with Rectangular Cross Section
〇Jo Okada1, Nobuya Mori1 (1.Osaka University)
Keywords:
nanosheet,Poisson-Schrodinger,Mobility
次世代トランジスタのチャネルとして導入が進められている半導体ナノシートにおける電子輸送シミュレーションでは，閉じ込め方向の運動の量子化や，半導体/酸化膜界面位置の乱れに起因する表面ラフネス散乱が重要な役割を演じる．本研究では，２次元のPoisson-Schrodinger 方程式を自己無撞着に解き，閉じ込め面内の電子状態を計算した後，線形化ボルツマン輸送方程式を解き，ゲートオールアラウンド型Si ナノシートにおける電子移動度を計算した．