[25a-22A-1~5] 15.2 II-VI and related compounds

9:15 AM - 9:30 AM JST(12:15 AM - 12:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[25a-22A-2] The Nucleation process control of SnTe thin films toward the crystallinity improvement

〇Hikaru Kawabata¹, Momoka Imoto¹, Hongfu Guo¹, Shumpei Tanaka¹, Masakazu Kobayashi^1,2 (1.Waseda Univ., 2.Waseda Univ. Inst.)

Keywords:

molecular beam epitaxy,nucleation process,surface state

我々はトポロジカル絶縁体として有望なSnTeをMBE法を用いて作製してきた。これまではZnTeバッファ層上にSnTeを直接成長させて、その成長温度と分子線強度比を制御することで結晶性及び表面状態を改善することができたが、SnTe薄膜表面には溝が残ったままだった。そこでこの溝をなくすために、ZnTeバッファ層上にSnTeの核形成プロセスを導入し、その後SnTeエピ成長を行うことを検討した。そしてこのプロセスを制御することでSnTe薄膜の結晶性と表面状態の改善を試みた。