[25a-22A-1~5] 15.2 II-VI族結晶および多元系結晶

9:15 〜 9:30奨励賞エントリー

[25a-22A-2] GaAs(100)基板上SnTe薄膜における核形成プロセスの制御

〇川畑 光瑠¹、井元 萌々香¹、郭 洪甫¹、田中 駿平¹、小林 正和^1,2 (1.早大先進理工、2.早大材研)

キーワード：

分子線エピタキシー法,核形成,表面状態

我々はトポロジカル絶縁体として有望なSnTeをMBE法を用いて作製してきた。これまではZnTeバッファ層上にSnTeを直接成長させて、その成長温度と分子線強度比を制御することで結晶性及び表面状態を改善することができたが、SnTe薄膜表面には溝が残ったままだった。そこでこの溝をなくすために、ZnTeバッファ層上にSnTeの核形成プロセスを導入し、その後SnTeエピ成長を行うことを検討した。そしてこのプロセスを制御することでSnTe薄膜の結晶性と表面状態の改善を試みた。