[25a-22A-1~5] 15.2 II-VI and related compounds

9:30 AM - 9:45 AM JST(12:30 AM - 12:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[25a-22A-3] Evaluation of SnTe films on GaAs(100) by Hall measurement and Raman spectroscopy

〇Momoka Imoto¹, Hikaru Kawabata¹, Hongfu Guo¹, Shumpei Tanaka¹, Masakazu Kobayashi^1,2 (1.Waseda Univ., 2.Waseda Univ. Inst.)

Keywords:

electrical properties,Hall measurement,Raman spectroscopy

先行研究では成長温度と分子線強度比の制御により(100)に強く配向したGaAs基板上SnTe薄膜を作製出来たが、電気伝導特性を調査したところ結晶性が向上するにつれて室温での移動度はかえって低下していた。これは表面の平坦な構造間の溝の影響によると考察し、本研究では散乱機構の解析から薄膜の品質向上の手がかりを得ることを目指してHall効果測定を中心に電気伝導特性を評価した。