講演情報
[25a-22A-3]Hall効果測定及びRaman分光測定によるGaAs基板上SnTe薄膜の評価
〇井元 萌々香1、川畑 光瑠1、郭 洪甫1、田中 駿平1、小林 正和1,2 (1.早大先進理工、2.早大材研)
キーワード：
電気伝導特性,ホール効果測定,ラマン分光測定
先行研究では成長温度と分子線強度比の制御により(100)に強く配向したGaAs基板上SnTe薄膜を作製出来たが、電気伝導特性を調査したところ結晶性が向上するにつれて室温での移動度はかえって低下していた。これは表面の平坦な構造間の溝の影響によると考察し、本研究では散乱機構の解析から薄膜の品質向上の手がかりを得ることを目指してHall効果測定を中心に電気伝導特性を評価した。