Presentation Information
[25a-52A-8]Structural Design of High-Frequency Ga2O3 Schottky Barrier Diodes for Application to Microwave Wireless Power Transmission
〇(M1)Kohki Eguchi1, Yudai Suehiro1, Romualdo Ferreyra1, Yasuo Ohno2, Masataka Higasiwaki1,3 (1.Osaka Metropolitan Univ., 2.Laser Systems Inc., 3.NICT)
Keywords:
Gallium oxide,Schottky barrier diode,High frequency
マイクロ波無線電力伝送において、受電部のマイクロ波から直流への電力変換効率を向上するには、整流回路に用いるダイオードのオン時の直列抵抗とオフ時の容量の積をできる限り小さくする必要がある。本研究では、デバイスシミュレータを用いて、マイクロ波無線電力伝送応用に向けた高周波Ga2O3ショットキーバリアダイオードの構造最適化を行った。結果、その高いレクテナ応用ポテンシャルが確認された。