Presentation Information
[25a-P03-8]Anodization voltage dependence of electrical properties of anodized n-GaN in two-step wet etching method
〇zhaobei li1, Gaku Kamio1, Ren Morita1, Hiroshi Fujioka2, Narihiko Maeda1 (1.Tokyo Univ. of Technology, 2.Inst. of Industrial Sicence, the Univ. of Tokyo)
Keywords:
GaN,anodization
GaN系デバイスの低速・低損傷エッチング技術の開発を目的に、n-GaNを陽極酸化後にウェットエッチングする2段階ウェットエッチング法を2019年に提案した。我々は新規材料としての応用も念頭に陽極酸化によるn-GaNの電気伝導特性の変化を検討している。今回異なる電圧で陽極酸化を行い電気伝導特性変化の電圧依存性を調べたところ、陽極酸化によってn-GaNの電気伝導特性が変化し、その変化は印加電圧が高いほど大きいことが分かった。