Presentation Information
[25a-P05-5]Formation of ultrathin Si nitride films with various compositions
〇(M1)Yuhi Ito1, Huynh Thi Cam Tu1, Keisuke Ohdaira1 (1.JAIST)
Keywords:
solar cell,passivation,Cat-CVD
Cat-CVD装置で組成の異なる極薄窒化Si膜の製膜を行った。組成は分光エリプソメータによる屈折率の測定で評価し、波長が630 nmでの屈折率が~1.8から~2.1までの間でのSi膜の製膜を確認した。また、この屈折率で膜厚が2 nmから2.5 nmの間の極薄窒化Si膜を製膜に成功した。TNPCon構造の極薄窒化Si膜に、今回製膜した組成の異なる極薄窒化Si膜を使用することによるパッシベーション性能の向上が期待される。