講演情報
[25a-P05-5]組成を変化させた極薄窒化Si膜の製膜
〇(M1)伊藤 雄飛1、Huynh Thi Cam Tu1、大平 圭介1 (1.北陸先端大)
キーワード：
太陽電池,パッシベーション技術,Cat-CVD
Cat-CVD装置で組成の異なる極薄窒化Si膜の製膜を行った。組成は分光エリプソメータによる屈折率の測定で評価し、波長が630 nmでの屈折率が~1.8から~2.1までの間でのSi膜の製膜を確認した。また、この屈折率で膜厚が2 nmから2.5 nmの間の極薄窒化Si膜を製膜に成功した。TNPCon構造の極薄窒化Si膜に、今回製膜した組成の異なる極薄窒化Si膜を使用することによるパッシベーション性能の向上が期待される。