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[25p-12K-8]Noise properties in the Coulomb blockade region of FinFETs

〇Tetsufumi Tanamoto1, Keiji Ono2, Jun Deguchi3, Junji Wadatsumi3, Ryuichi Fujimoto3 (1.Teikyo Univ., 2.Riken, 3.Kioxia)

Keywords:

FinFET,qubit

Fin 電界効果トランジスタ (FinFET) は、スマートフォンなどの汎用品の必要部品となって久しいが、最近ではSi 量子コンピュータのプラットフォームの有望な候補の一つとなりつつある。通常、FinFETは室温で使用し、その特性は詳しく調べられているが、量子コンピューティングの領域である極低温での振る舞いついては詳細な検討がなされていない。そこで、我々は市販の FinFETを10K以下まで冷やし、その電気伝導特性を実験的に調べた。