講演情報
[25p-12K-8]FinFETのクーロンブロッケイド領域におけるノイズ測定
〇棚本 哲史1、大野 圭司2、出口 淳3、弘原海 潤治3、藤本 竜一3 (1.帝京大理工、2.理研、3.キオクシア)
キーワード：
FinFET,量子ビット
Fin 電界効果トランジスタ (FinFET) は、スマートフォンなどの汎用品の必要部品となって久しいが、最近ではSi 量子コンピュータのプラットフォームの有望な候補の一つとなりつつある。通常、FinFETは室温で使用し、その特性は詳しく調べられているが、量子コンピューティングの領域である極低温での振る舞いついては詳細な検討がなされていない。そこで、我々は市販の FinFETを10K以下まで冷やし、その電気伝導特性を実験的に調べた。