[25p-12P-1~13] 3.9 Optical quantum physics and technologies (formerly 3.10)

4:00 PM - 4:15 PM JST(7:00 AM - 7:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[25p-12P-11] Cryogenic evaluation of Silicon-vacancy centers in nanodiamonds created by ion implantation

〇(DC)Konosuke Shimazaki¹, Kazuki Suzuki¹, Kengo Sakamoto¹, Yudai Okashiro¹, Hiroshi Abe², Takeshi Ohshima^2,3, Hideaki Takashima^1,4, Shigeki Takeuchi¹ (1.Kyoto Univ., 2.QST, 3.Tohoku Univ., 4.CIST)

Keywords:

Single photon emitter,Silicon-vacancy center,nanodiamonds

光量子情報デバイスへの応用の観点から、シリコン空孔(SiV)中心内包ナノダイヤモンドが注目されている。高効率なSiV中心内包ナノダイヤモンド作製のために、我々はナノダイヤモンドにSiイオンを注入し、真空高温アニールを行う方法を開発し、室温で細い線幅を観測することに成功した。今回、イオン注入によって作製したSiV中心内包ナノダイヤモンドについて、極低温下で分光器限界の線幅を観測したので報告する。