講演情報
[25p-12P-11]ナノダイヤモンドへのイオン注入により作製したシリコン空孔中心内包ナノダイヤモンドの極低温評価
〇(DC)嶋崎 幸之介1、鈴木 和樹1、坂本 健吾1、岡城 勇大1、阿部 浩之2、大島 武2,3、高島 秀聡1,4、竹内 繁樹1 (1.京大院工、2.量研、3.東北大学、4.千歳科技大)
キーワード：
単一発光体,シリコン空孔中心,ナノダイヤモンド
光量子情報デバイスへの応用の観点から、シリコン空孔(SiV)中心内包ナノダイヤモンドが注目されている。高効率なSiV中心内包ナノダイヤモンド作製のために、我々はナノダイヤモンドにSiイオンを注入し、真空高温アニールを行う方法を開発し、室温で細い線幅を観測することに成功した。今回、イオン注入によって作製したSiV中心内包ナノダイヤモンドについて、極低温下で分光器限界の線幅を観測したので報告する。