[25p-1BC-1~11] 12.2 Characterization and Materials Physics

1:30 PM - 1:45 PM JST(4:30 AM - 4:45 AM UTC)Highlighted Presentation

[25p-1BC-1] Evidence of Polaron Formation in Organic Semiconductors
Proved by Temperature Dependence of Valence and Conduction Energy Bandwidths

Syed A. Abd Rahaman¹, Yota Yamada¹, Hiroyuki Ishii², 〇Hiroyuki Yoshida^1,3 (1.Chiba Univ., 2.Tsukuba Univ., 3.MCRC-Chiba Univ.)

Keywords:

polaron,mobility,energy bandwidth

ポーラロンの形成は、エネルギーバンド幅の温度依存性から実証することができる。しかし、熱膨張によってもバンド幅は変化するため、これまで高移動度有機半導体でポーラロンが形成されるかどうか決着がついていなかった。本研究では、熱膨張率の異なる基板上にペンタセン薄膜を作製し、伝導帯と価電子帯のバンド幅の温度依存を精密測定することで、ポーラロンが形成されていることを実証した。