Presentation Information
[25p-1BJ-2]Crystal structure and ferroelectric properties of CeO2-HfO2-ZrO2 thin films
〇(M1)Kouhei Shimonosono1, Yoshiki Maekawa1, Nachi Cyaya1, Okamoto Kazuki1, Wakiko Yamaoka2, Yasushi Kawashima2, Yukari Inoue2, Hiroshi Funakubo1 (1.Tokyo Tech., 2.TDK Corp.)
Keywords:
Ferroelectric thin film,HfO2,PLD method
HfO2基強誘電体は、2011年に強誘電性が報告され、CMOSプロセスとの高い整合性や微細加工の容易さから高集積可能な新たな強誘電体材料としての注目が集まっている。HfO2基強誘電体はHfO2-ZrO2やYO1.5-HfO2をはじめとする様々な組成系で強誘電体薄膜作製の報告例がある。 HfO2は蛍石構造を有し、HfO2の他に蛍石構造を有する酸化物はCeO2やZrO2が挙げられる。今回はすべて蛍石構造を有する酸化物で構成されるCeO2-HfO2-ZrO2薄膜を作製し、その結晶構造と強誘電性の評価を行った。