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[25p-31B-5]Formation and Light Emission Properties of Fe-silicide Core/Si-Shell Quantum Dots

〇Haruto Saito1, Katsunori Makihara1, Seiichi Miyazaki1 (1.Nagoya Univ.)

Keywords:

Nanodots,Photoluminescence,beta-FeSi2

リモートH2プラズマ(H2-RP)支援により熱酸化SiO2上にFeナノドットを高密度(~1011cm-2)形成後、基板温度400˚CでSiH4照射を行うことでb-FeSi2ナノドットが形成でき[1]、さらには、SiH4照射量を増加した場合、ドット表面にSi層が選択成長することを明らかにしてきた[2]。本研究では、b-FeSi2コア/Siシェル構造のナノドット形成を意図し、薄層化したSOI構造およびSiO2上に予め形成した高密度Si量子ドットに、Fe超薄膜の電子線蒸着とSiH4照射を行った。