[25p-31B-1~12] 9.2 Nanoparticles, Nanowires and Nanosheets

2:30 PM - 2:45 PM JST(5:30 AM - 5:45 AM UTC)

[25p-31B-6] Fabrication and PL Properties of Ge-Core/Si Quantum Dots Embedded into Poly-Si Microdisks

〇Koki Hosoi¹, Katsunori Makihara^1,2, Haruto Saito¹, Yuji Yamamoto², Wen Wei-Chen², Bernd Tillack^2,3, Seiichi Miyazaki¹ (1.Nagoya Univ., 2.IHP, 3.TU Berlin)

Keywords:

Si-Ge,Microdisk,Quantum Dots

これまでに、高H₂希釈SiH₄およびGeH₄を用いたReduced-pressure CVD (RP-CVD)の反応初期過程を交互に精密制御することで、200mm-Siウェハ上にGe核を有するSi量子ドットを高密度・一括形成でき、このコア／シェル構造のフォトルミネッセンス (PL) は、Geコアからの発光が支配的であることを明らかにした。本研究では、このコア／シェル構造を内包したpoly-Siマイクロディスクを形成し、室温PL特性を評価した。