講演情報
[25p-31B-6]GeコアSi量子ドットを内包したマイクロディスクの形成と発光特性評価
〇細井 康揮1、牧原 克典1,2、斎藤 陽斗1、Yuji Yamamoto2、Wen Wei-Chen2、Bernd Tillack2,3、宮﨑 誠一1 (1.名大院工、2.IHP、3.TU Berlin)
キーワード：
Si-Ge,マイクロディスク,量子ドット
これまでに、高H2希釈SiH4およびGeH4を用いたReduced-pressure CVD (RP-CVD)の反応初期過程を交互に精密制御することで、200mm-Siウェハ上にGe核を有するSi量子ドットを高密度・一括形成でき、このコア／シェル構造のフォトルミネッセンス (PL) は、Geコアからの発光が支配的であることを明らかにした。本研究では、このコア／シェル構造を内包したpoly-Siマイクロディスクを形成し、室温PL特性を評価した。