[10a-N201-1~11] 9.4 Thermoelectric conversion

9:00 AM - 9:15 AM JST(12:00 AM - 12:15 AM UTC)

[10a-N201-1] Epitaxial growth of thick CaSi₂ film/Si and its thermoelectric properties

〇(D)Takashi Yoshizaki¹, Mikio Kojima¹, Tsukasa Terada¹, Takafumi Ishibe^1,2, Yoshiaki Nakamura^1,2 (1.The Univ. of Osaka, 2.OTRI Osaka Univ.)

Keywords:

thermoelectric conversion

IoTセンサ用電源としてSi基板上薄膜熱電材料が注目されている。我々は、シリセン内包層状物質CaSi₂において、シリセンのバックリング構造変調由来の高出力因子を観測した。しかし、膜成長中のCa脱離によりCaSi₂膜の膜厚増加に限界があり、応用に資する出力は得られていない。本研究では、CaSi₂膜の厚膜化を可能にする成長法を開発し、得られたCaSi₂厚膜の熱電特性を明らかにすることを目的とする。