講演情報
[10a-N201-1]Si基板上CaSi2厚膜のエピタキシャル成長とその熱電特性
〇(D)吉崎 高士1、小島 幹夫1、寺田 吏1、石部 貴史1,2、中村 芳明1,2 (1.阪大院基礎工、2.阪大OTRI)
キーワード：
熱電変換
IoTセンサ用電源としてSi基板上薄膜熱電材料が注目されている。我々は、シリセン内包層状物質CaSi2において、シリセンのバックリング構造変調由来の高出力因子を観測した。しかし、膜成長中のCa脱離によりCaSi2膜の膜厚増加に限界があり、応用に資する出力は得られていない。本研究では、CaSi2膜の厚膜化を可能にする成長法を開発し、得られたCaSi2厚膜の熱電特性を明らかにすることを目的とする。