[10a-N221-1~10] 3.10 Photonic structures and phenomena

11:00 AM - 11:15 AM JST(2:00 AM - 2:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[10a-N221-6] High-power operation of 1.3 μm-wavelength InP-based PCSELs with in-plane heterostructure

〇Makoto Ogasawara^1,2, Yuhki Itoh^1,2, Takeshi Aoki^1,2, Kousuke Fujii¹, Shun Kimura¹, Yusuke Sawada^1,2, Hiroyuki Yoshinaga^1,2, Naoki Fujiwara^1,2, Hideki Yagi¹, Masaki Yanagisawa¹, Masahiro Yoshida², Takuya Inoue², Menaka De Zoysa², Kenji Ishizaki², Susumu Noda^2,3 (1.Sumitomo Electric Industries, 2.Kyoto Univ., 3.Kyoto Univ. Institute for Advanced Study)

Keywords:

Photonic-crystal surface-emitting laser,PCSEL,semiconductor laser

フォトニック結晶レーザー (PCSEL）は、活性層近傍に設けた2次元フォトニック結晶 (PC）における2次元共振を利用した面発光型の半導体レーザーであり、原理的に、高光出力・高ビーム品質なレーザー発振が可能である。我々はこの特長を活かして、光通信やセンシング用光源として通信波長帯（1.3 mm, 1.55 mm）のInP系PCSELを検討している。これまでに、1.3 mm帯のInP系PCSELにおいて、二重格子PC構造及び金属ミラー電極の採用により室温CW駆動における高光出力（400 mW）かつ単一モード動作を実証してきた。今回、面内ヘテロ構造をInP系PCSELに導入することにより、室温CW駆動において、700 mWの高光出力動作を実現したので、報告する。