[10a-N304-1~7] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

11:30 AM - 11:45 AM JST(2:30 AM - 2:45 AM UTC)

[10a-N304-7] Effect of SiN_x films on the electrode formation on crystalline Si surface using Ag ink

〇Haruto Yano¹, Kei Kashizaki², Masayuki Kanehara², Kensaku Maeda¹, Keisuke Ohdaira¹ (1.JAIST, 2.C-INK)

Keywords:

Ag ink

窒化Si膜を堆積したn⁺エミッタ付きウェハと堆積していないウェハにそれぞれAgインクを用いて電極形成を実施し、接触抵抗値を測定し比較した。850 ℃、1200 sで焼成した試料のTLM法により導出した抵抗値の比較から、窒化Si膜を堆積したウェハの計測データのばらつきと接触抵抗値が相対的に大きくなる事が確認された。焼成温度や焼成時間を変更した試料においても、同様の傾向を確認した。