講演情報
[10a-N304-7]Agインクを用いた結晶Si表面での電極形成おけるSiNx膜の影響
〇矢野 陽斗1、樫崎 溪2、金原 正幸2、前田 健作1、大平 圭介1 (1.北陸先端大、2.C-INK)
キーワード：
銀インク
窒化Si膜を堆積したn+エミッタ付きウェハと堆積していないウェハにそれぞれAgインクを用いて電極形成を実施し、接触抵抗値を測定し比較した。850 ℃、1200 sで焼成した試料のTLM法により導出した抵抗値の比較から、窒化Si膜を堆積したウェハの計測データのばらつきと接触抵抗値が相対的に大きくなる事が確認された。焼成温度や焼成時間を変更した試料においても、同様の傾向を確認した。