Presentation Information
[10a-P05-10]Performance evaluation of GaInN-based photoelectric transducers fabricated on freestanding GaN substrates under monochromatic light irradiation
〇Manatsu Nagai1, Soutarou Isida1, Takashi Egawa1, Makoto Miyoshi1 (1.Nagoya Inst.Tech.)
Keywords:
GaN,OWPT,Photodetecter
半導体レーザと受光デバイスを用いた光無線給電システムは、システムが簡便であること、比較的大きなエネルギーの長距離伝送が可能であることなどから、広範囲応用分野への適用が期待されている
当研究室では、光無線給電システムに向けてGa0.9In0.1N/GaN多重量子井戸(MQW)を光吸収層とするGaInN系受光素子の研究開発を進めている。本研究では、単色LED光源を用いて、光電変換性能の光照射強度依存性について調査したので報告する。
当研究室では、光無線給電システムに向けてGa0.9In0.1N/GaN多重量子井戸(MQW)を光吸収層とするGaInN系受光素子の研究開発を進めている。本研究では、単色LED光源を用いて、光電変換性能の光照射強度依存性について調査したので報告する。