Presentation Information
[10a-P05-14]Growth of GaN layer by plasma-enhanced LPE method(IV)
〇Haruki Nakagawa1, Daiki Hirose1, Fusuke Matsumura1, Keisuke Yoshida1, Hiroyuki Shinoda1, Nobuki Mutsukura1 (1.Tokyo Denki Univ.)
Keywords:
Gallium Nitride,thin film,Sputter
我々は，プラズマLPE（Plasma-enhanced LPE）法を用いたGaN層の成長について検討を行っている．前回は，サファイア基板上にスパッタリング法にて堆積したGaへ窒素プラズマを照射する事によってGaN層を成長し，その表面形態や結晶性について検討した．その結果，GaN層の形成は可能であるが，表面の平坦性や結晶性においては更なる改善が必要である．今回は結晶性等の向上を目的に，GaNテンプレート上においてGaN層の成長を行い，その結果について検討を行ったので報告する．