[10p-N201-1~7] 9.4 Thermoelectric conversion

1:30 PM - 1:45 PM JST(4:30 AM - 4:45 AM UTC)

[10p-N201-1] Impact of solidification rate on CdSnAs₂ microstructure and thermoelectric properties

Shoki Kishida¹, Norihiko Okamoto², Katsube Ryoji³, Akira Nagaoka^4,5, Isshin Sumiyoshi¹, Kensuke Nishioka^4,5, Tetsu Ichitsubo², 〇Yoshitaro NOSE¹ (1.Kyoto Univ., 2.Tohoku Univ., 3.Nagoya Univ., 4.U. Miyazaki, 5.GX center, U. Miyazaki)

Keywords:

chalcopyrite,supercooled solidification,high power factor

カルコパイライト化合物であるCdSnAs₂ (CTA) はノンドープでn型伝導を示し，0.3 eV程度の狭いバンドギャップと，10³〜10⁴ cm² V⁻¹ s⁻¹の非常に高い電子移動度を有することから，有望なn型熱電材料である．これまでに，ホットプレス法による焼結体において，600 K で0.2程度のZTが報告されている．本研究ではより簡便な手法として，凝固によるバルク結晶作製を検討した．その結果，凝固速度を適切に制御することで，従来報告を上回る熱電性能を実現できることを見出したので，報告する．