[10p-N206-1~13] 6.3 Oxide electronics

1:30 PM - 1:45 PM JST(4:30 AM - 4:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[10p-N206-1] Preparation of Epitaxial EuNiO₃ thin films towards high-speed proton diffusion phenomena.

〇(M1)Kenta Nakanishi¹, Hidekazu Tanaka^1,2, Haobo Li^1,2 (1.SANKEN, Univ. of Osaka, 2.OTRI, Univ. of Osaka)

Keywords:

Strongly correlated system,Iontronics

我々は、高速プロトン移動度を持つ材料設計の概念を提示し、その候補であるEuNiO₃薄膜の作製とイオン拡散速度の評価を行った。パルスレーザー蒸着法により各種基板上にEuNiO₃薄膜が得られた。Pt触媒電極を用いた水素化を光学顕微鏡で観察し、その移動距離から基板毎に拡散係数を見積もり、EuNiO₃が高速プロトン駆動相転移材料の良い候補となること、電気化学インピーダンス分光法測定の結果を報告する。