[10p-N206-1~13] 6.3 Oxide electronics

4:45 PM - 5:00 PM JST(7:45 AM - 8:00 AM UTC)

[10p-N206-13] The evaluation of physical properties of MgO-TiN solid solution thin film prepared by PLD

〇Takahiko Kawaguchi¹, Toshiki Hirama¹, Naonori Sakamoto¹, Naoki Wakiya¹ (1.Shzuoka Univ.)

Keywords:

oxynitride,semiconductor,epitaxial thin film

我々は非毒性かつ天然に豊富に存在する元素で構成され、互いに非常に近い格子定数をもつMgOとTiNの固溶体に注目した。この固溶系では、ワイドギャップ半導体から金属まで、電極材料も含めて幅広くバンドギャップを変化できる。しかしMgO-TiN固溶体の物性は知られておらず、合成の報告自体もほぼ例が無い。本研究ではパルスレーザー堆積(PLD)法を用いてエピタキシャル薄膜としてMgO-TiN固溶体を合成するとともにその物性評価を目的とした。