[10p-N301-1~13] 15.4 III-V-group nitride crystals

4:45 PM - 5:00 PM JST(7:45 AM - 8:00 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[10p-N301-13] Optimization of EBL composition in GaInN-based red PEDOT-LEDs on ScAlMgO₄ substrates

〇Ryusei Sakamoto¹, Ryotaro Ito¹, Naoto Fukami¹, Minori Kinoshita¹, Ai Sakakibara¹, Satoshi Kamiyama¹, Tetsuya Takeuchi¹, Motoaki Iwaya¹, Atsushi Suzuki², Seiji Ishimoto², Emi Matsuyama² (1.Meijo Univ., 2.E&E Evolution Ltd.)

Keywords:

PEDOT:PSS,ScAlMgO4

赤色MQWへの熱的負荷低減を目的に、p-GaNをPEDOT:PSSに置き換えたLED構造を検討した。赤色MQWの圧縮ひずみを緩和できるScAlMgO₄基板上にPEDOT:PSSを正孔輸送層としたGaInN系赤色LEDを作製した。この構造ではp-AlGaInN-EBLのみで電子を閉じ込め、正孔をMQWへ注入する必要がある。本研究ではEBL組成がデバイス特性に与える影響を調べ、最適な組成を目指した。