Presentation Information
[10p-N322-10]Origin Analysis of Stacking Fault Complex with Different Surface Morphology in 4H-SiC Epitaxial Wafer
〇SHOHEI HAYASHI1, Junji Senzaki2 (1.Toray Research Center, 2.AIST)
Keywords:
SiC,TEM,Crystal defect
4H-SiCエピウエハには多種多様な結晶欠陥が存在している。基板中の貫通らせん転位もしくは貫通混合転位を起源として発生する拡張欠陥である積層欠陥複合体は、基底面積層欠陥とプリズム面積層欠陥により構成され、プリズム面積層欠陥が到達した試料表面には特徴的な凹凸が形成される。本研究では、走査透過電子顕微鏡を用いて表面形状の異なる積層欠陥複合体の起点構造を調査した。