Presentation Information
[10p-N322-11]Characterization of 3C-SiC thick epitaxial layers grown on off-axis 4H-SiC substrate
〇Jun Fujita1, Kongsihk Rho1, Masashi Kato1 (1.NITech)
Keywords:
3C-SiC,photocatalytic semiconductor,Electron Backscatter Diffraction (EBSD)
3C-SiCは人工光合成による水素生成に適した半導体光触媒材料で、結晶品質向上が重要である。本研究ではオフ角導入によるダブルポジショニングバウンダリー抑制効果を評価した。オフ角の有無が異なる基板上に成長した3C-SiCエピ層をEBSDで比較した結果、オフ基板では[111]方位が優勢で、[111]と異なる方位や4H-SiC混入が抑制された。これによりオフ角導入が単一方向成長を促進することが分かった。