Presentation Information
[10p-N403-6]Direct nano-lithography in Ultrathin Silicon Nanosheets Utilizing Helium Ion Beam Irradiation
〇Yukinori Morita1, Kensuke Inoue2, Ryuichi Sugie2, Shinichi Ogawa1 (1.AIST, 2.TRC)
Keywords:
Helium Ion Microscopy,Silicon Nanosheet,Nanopore
ヘリウムイオン顕微鏡は収束させたヘリウム（He）イオンビームを試料に照射し発生した二次電子を用いて対象試料を画像化する装置であるが、He+イオン照射量を増大していくことにより数nm領域の材料物性制御（改質）、エッチング加工を行うことも可能である。しかしながらシリコンを対象としてナノ加工を実施した例はほとんどなかった。本研究では、極限まで薄膜化したシリコンナノシートを対象試料として用いることで、二次元材料と同様に収束He+イオンビーム照射によるnmレベルの加工がシリコンにおいても可能かを検証した。