Presentation Information
[7a-N105-4]Heat conduction characteristics of strain-controlled epitaxial Ge1-xSnx film/Si
〇Arata Shibagaki1, Ryosuke Hotta1, Tsukasa Terada1, Takafumi Ishibe1, Yuichiro Yamashita2, Yoshiaki Nakamura1 (1.The University of Osaka, 2.AIST)
Keywords:
thermoelectric conversion,Group IV elements,GeSn
近年、IoTデバイスとの一体型自立電源として、Si基板上IV族元素薄膜熱電材料が注目されている。Ge1-xSnxは、合金フォノン散乱に起因した低熱伝導率 (大x)に加えて、xと歪制御によるバンドコンバージェンス効果に起因した熱電出力増大が期待できる有望なIV族元素材料である。本研究では、圧縮歪制御した大xを有するエピタキシャルGe1-xSnx薄膜/Siの作製技術を開発し、特に、組成・歪が伝熱特性に及ぼす影響を明らかにすることを目的とする。