講演情報
[7a-N105-4]歪制御したエピタキシャルGe1-xSnx薄膜/Siの伝熱特性
〇柴垣 新1、堀田 亮輔1、寺田 吏1、石部 貴史1、山下 雄一郎2、中村 芳明1 (1.阪大院基礎工、2.産総研)
キーワード：
熱電変換、IV族元素、GeSn
近年、IoTデバイスとの一体型自立電源として、Si基板上IV族元素薄膜熱電材料が注目されている。Ge1-xSnxは、合金フォノン散乱に起因した低熱伝導率 (大x)に加えて、xと歪制御によるバンドコンバージェンス効果に起因した熱電出力増大が期待できる有望なIV族元素材料である。本研究では、圧縮歪制御した大xを有するエピタキシャルGe1-xSnx薄膜/Siの作製技術を開発し、特に、組成・歪が伝熱特性に及ぼす影響を明らかにすることを目的とする。